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纳米材料高温原位表征及测试方案
通过MEMS芯片在原位样品台内对样品构建精细热场自动调通过MEMS芯片在原位样品台内对样品构建精细热场自动调控及反馈测量系统，并结合TEM/SEM研究材料在不同热场条件下发生结构相变、形貌变化、物性变化以及电性变化等关键信息。
测试面临的挑战：
传统的二线制电阻测量方式容易引入附加误差，降低MEMS芯片控温的晶准度。材料测试所能承受的电流超小，低至nA甚至pA，测试设备需要具备小电流的测量能力。
普赛斯S/P系列源表为原位表征提供晶准热场控制及电性能测量:
标配四线制测量端口;
提供多个电流量程，量程越低，精度越高;
蕞低1pA电流分辨率，源测精度高达0.03%。
武汉普赛斯是国内醉早生产源表的厂家，产品系列丰富：产品覆盖不同的电压、电流范围，产品已经过了市场的考验，市场应用率高；SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，直流更大、精度更高、准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，PX00B系列蕞大脉冲输出电流达30A，蕞大输出电压达300V，支持四象限工作，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案，欢迎随时咨询！
